記者17日獲悉，復旦大學周鵬/劉春森團隊成功研制“破曉(PoX)”皮秒閃存器件，擦寫速度達到亞1納秒(400皮秒)，是人類目前掌握的最快半導體電荷存儲器件。

北京時間4月16日深夜，相關研究成果發(fā)表于國際頂尖期刊《自然》(Nature)。

從遠古時代的結繩記事開始，人類對信息存儲速度的追求從未止步。隨著科技不斷演進，電荷被證明是最佳存儲媒介，能夠以驚人的速度和卓越的可靠性承載海量數據。隨著人工智能(AI)時代的到來，計算范式正從傳統(tǒng)的邏輯運算逐漸轉向數據驅動的計算模式。信息存取速度直接決定了算力上限，亟需存儲技術的突破來實現變革。

據介紹，目前速度最快的存儲器均為易失性存儲器，斷電后數據丟失的特性限制了其在低功耗場景下的應用，難以滿足AI計算對數據極高速存取的需求。

復旦大學周鵬/劉春森團隊構建了準二維高斯模型，成功從理論上預測了超注入現象，并據此研制“破曉(PoX)”皮秒閃存器件，其性能超越同技術節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術；通過AI算法對工藝測試條件實現科學優(yōu)化，極大推動技術創(chuàng)新與落地。

據悉，中國專家團隊研發(fā)的突破性高速非易失閃存技術，不僅有望改變全球存儲技術格局，進而推動產業(yè)升級并催生全新應用場景，還為中國在相關領域實現技術引領提供強有力支撐。

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